Ku波段无耗型MESFET混频器单片电路研究  

Research of Ku-Band Non-Dissipative MESFET Mixer MMIC

作　　者：孙迎新[1] 高葆新[1] 林金庭 

机构地区：[1]北京微电子技术研究所,清华大学电子工程系,南京电子器件研究所

出　　处：《电子学报》1997年第8期28-32,共5页Acta Electronica Sinica

摘　　要：本文对无耗型ＭＥＳＦＥＴＮ极注入混频器电路工作原理进行了分析，在对这种混频器进行ＣＡＤ研究中，提出了ＭＥＳＦＥＴ模型扩展技术，在此基础上进行了Ｋｕ波段无耗型ＭＥＳ－ＦＥＴ混频器单片集成电路的设计与研制，混频器电路的测试结果与计算相符，性能达到：变频增益－２ｄＢ，，噪声系数７～８ｄＢ．Analysis on the principle of Non-dissipative MESFET drain mixer circuit has been made. During research of CAD of this type of mixer, the technique of expanding the MESFET model has been offered. On the basis above, the Ku-band non-dissipative MESFET mixer MMICs have been designed and manufactured. The measurement results are in good agreement with computation. The mixer performs-2dB of conversion gain and 7-8dB of noise figure.

关 键 词：MESFET 混频器 单片 微波集成电路 CAD 

分 类 号：TN454.02[电子电信—微电子学与固体电子学] TN773