脉冲激光沉积SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的研究  

作　　者：杨平雄[1] 郑立荣[1] 林成鲁[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《科学通报》1997年第2期220-222,共3页Chinese Science Bulletin

摘　　要：铁电薄膜存储器(FRAM)由于具有动态随机存储器(DRAM)快速读写功能和可擦写唯读存储器(EPROM)非挥发性,又具有抗辐照、功耗低等特性,已成为国际上固态器件研究的一个热点。铁电存储器常用的铁电材料是Pb(ZrTi)O_3(PZT)等氧化物钙钛矿结构材料。由于这些铁电材料抗疲劳性能较差,阻碍了铁电存储器的商品化进程。de Araujo等人报道了铋系层状类钙钛矿结构的铁电薄膜具有抗疲劳特性,用这类铁电材料制作的铁电存储器,在10^(12)次重复开关极化后,仍没有显示疲劳现象,并且具有很好的信息储存寿命和较低的漏电流。

关 键 词：脉冲激光沉积 铁电薄膜 铁电材料 SBT 

分 类 号：TM221[一般工业技术—材料科学与工程]