脉冲激光沉积(PLD)晶态4H-SiC薄膜  

作　　者：王玉霞[1] 汤洪高[1] 汤业庆 周贵恩[2] 吴建新[2] 胡克良[2] 李凡庆[2] 杨丽[2] 

机构地区：[1]中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥230026 [2]中国科学技术大学结构成分分析实验室,合肥230026

出　　处：《科学通报》1997年第2期225-225,共1页Chinese Science Bulletin

摘　　要：碳化硅因具有许多独特而优异的物化性能,长期受到广泛重视,特别是作为光电、半导体材料更受到青睐。然而,由于碳化硅制备优质单晶材料的困难,使得其应用受到阻滞。故探索制备大面积高质量晶态碳化硅薄膜的研究成为重要的课题。寻求新的较低温度下制备优质晶态碳化硅薄膜的方法和条件将具有重要意义。

关 键 词：脉冲激光沉积 碳化硅 薄膜 晶态 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]