从M-T曲线上“奇异峰”分析掺杂3d族ZnO基稀磁半导体的磁学本质  

作　　者：彭英姿[1,2,3,4] Thomas Liew 叶志镇[4] 张银珠[4] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学理学院,材料物理研究所 [2]Data Storage Institute,DSI Building,5 Engineering Drive1,Singapore 117608 [3]Department of Electrical and Computer Engineering,National University of Singapore,Singapore 119260 [4]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《科学通报》2007年第16期1864-1867,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：杭州电子科技大学科学研究基金(批准号:KYF091506003);浙江大学硅材料国家重点实验室开放基金(批准号:200603)资助项目

摘　　要：研究了用双束脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备的Zn0.95Co0.05O薄膜的结构和磁学性质.晶体结构分析表明制备的薄膜是具有ZnO沿c轴择优取向的纤锌矿点阵结构的单晶膜.当室温或低于室温时该薄膜具有磁性.Zn0.95Co0.05O薄膜的磁化强度随温度的变化曲线,在55K附近出现了一个小峰.小峰出现的温度与文献中报道的"奇异峰"出现的温度相似,虽然小峰凸起似乎并不如引文中的明显.没有实验结果表明引文中的"奇异峰"与纳米材料的量子效应有相关性.Zn0.95Co0.05O薄膜的磁学行为并不能用稀磁半导体的铁磁性解释.并对ZnO基稀磁半导体薄膜中的磁学本质进行了讨论.

关 键 词：稀磁半导体 磁学本质 奇异磁学行为 ZnO基 

分 类 号：O472.5[理学—半导体物理]