飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来  

作　　者：周鑫[1] 

机构地区：[1]飞思卡尔半导体中国有限公司上海分公司,上海201203

出　　处：《电子技术应用》2007年第9期19-20,共2页Application of Electronic Technique

摘　　要：经常有人将磁阻RAM（MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory）称作是非易失性存储器（nvRAM，Non—Volatile RAM）的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其官要求高辣、耐用和非易失性的商业应用。

关 键 词：非易失性存储器 MRAM 品系 卡尔 RANDOM Access 高速缓冲器 SRAM 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]