红外材料Ge的刻蚀研究  

STUDY OF ETCHING PERFORMANCE OF INFRARAD MATERIAL GE

作　　者：张锦[1] 杜春雷[1] 冯伯儒 王永茹 周礼书 侯德胜 林大键 

机构地区：[1]中科院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,成都610209

出　　处：《微细加工技术》1997年第1期60-64,共5页Microfabrication Technology

摘　　要：采用反应离子刻蚀技术，制作二元光学元件锗透镜阵列，对红外材料锗Ge的SF6加O2刻蚀机理和刻蚀特性进行了分析．并给出了研究结果。The Ge microlens array has been fabricated by reaction ion etching. The mecha-nism and performance of etching infrared material Ge with mixed SF6 and O2 are ana-lyzed. The research results are given.

关 键 词：反应离子刻蚀 锗透镜 红外材料 刻蚀 

分 类 号：TN213.05[电子电信—物理电子学]