自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性  

Growth and Electrical Properties of ZnO Films Deposited on Freestanding Thick Diamond Films

作　　者：孙剑[1] 白亦真[1] 杨天鹏[2] 孙景昌[3] 杜国同[3] 

机构地区：[1]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁省大连116023 [2]吉林大学集成光电子国家重点实验室电子科学与工程学院,长春130012 [3]大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁省大连116023

出　　处：《吉林大学学报（理学版）》2007年第5期822-826,共5页Journal of Jilin University:Science Edition

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60307002)

摘　　要：采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜,并研究了薄膜的生长特性和电学特性.结果表明,在基片温度为600℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀,取向较一致,为c轴取向生长.其载流子迁移率为3.79 cm2/(V.s).ZnO thin films were prepared on the smooth nucleation surfaces of freestanding CVD thick diamond films by metal organic chemical vapor deposition （MOCVD） with two-step growth method. The growth and electrical properties of the ZnO films are characterized experimentally. The ZnO film deposited at a substrate temperature of 600 ℃ exhibited a clean surface with c-preferred orientation and had a mobility of 3.79 cm^2/（ V · s）.

关 键 词：声表面波滤波器 金刚石 ZNO薄膜 金属有机化合物气相沉积 

分 类 号：O484.5[理学—固体物理]