浅谈CMOS集成电路的I_(DDQ)测试  

Shallow to Talk About I_(DDQ) of CMOS Integrated Circuit Test

作　　者：张磊[1] 王忆[2] 张浩[3] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032 [2]辽宁公安司法管理干部学院,沈阳110031 [3]沈阳光明电工仪器厂,沈阳110041

出　　处：《微处理机》2007年第4期18-19,共2页Microprocessors

摘　　要：介绍了IDDQ测试的基本原理和主要测试方法,CMOS IC本质上是电流可测试的,IDDQ测试可有效地提高产品质量,降低芯片生产价格,并且它对失效响应分析(FEA)是非常有用的。This paper has introduced the major test method in IDDQ test and the basic principle of IDDQ test. In substance CMOS IC current can be tested, IDDQ test can availably improve IC quality, Depress CMOS chip＇s cost price,And very helpful on the failed analysis.

关 键 词：IDDQ测试 缺陷 故障 可靠性 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]