IDDQ测试

作品数：22被引量：17H指数：2
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相关作者：冯建华孙义和朱恒静周生龙缪栋更多>>
相关机构：清华大学中国航天科技集团公司五院511所北京中电华大电子设计有限责任公司北京大学更多>>
相关期刊：《微处理机》《中国集成电路》《电工电气》《西安电子科技大学学报》更多>>
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半导体器件早期失效筛选方法被引量：2
《中小企业管理与科技》2021年第9期137-138,141,共3页张莉萍 
为了获得更高的产品质量和可靠性,降低产品早期失效率,老化筛选一直是半导体生产测试的常规流程。但是器件老化非常耗时,而且会带来高昂的成本。论文讨论在何种条件下可以减少和取消器件老化,并提出了既能保证可靠性又能经济地筛选早期...
关键词：早期失效 老化 高电压应力 IDDQ测试 
基于IDDQ测试的VLSI门内电阻式桥接故障仿真被引量：2
《北京工业大学学报》2016年第1期128-133,共6页许爱强 唐小峰 牛双诚 杨智勇 
"泰山学者"建设工程专项经费资助项目;中国博士后科学基金资助项目(2013M542535)
为真实模拟集成电路中的桥接故障并评价测试集质量,提出一种基于静态电源电流(IDDQ)测试的逻辑电路门内电阻式桥接故障仿真算法.首先,针对该故障类型,提出一种覆盖率评价标准;其次,利用电路级故障注入与仿真方法构造基本逻辑门单元的故...
关键词：超大规模集成电路(VLSI)测试 电阻式桥接故障 静态电源电流(IDDQ)测试 故障仿真 故障覆盖率 
CMOS电路I_(DDQ)测试电路设计被引量：1
《现代电子技术》2011年第16期131-132,136,共3页江耀曦 邵建龙 杨晓明 何春 
云南省教育科学规划课题(GG09017);昆明理工大学教学质量与教学改革工程重点项目(10968047)
针对CMOS集成电路的故障检测,提出了一种简单的IDDQ静态电流测试方法,并对测试电路进行了设计。所设计的IDDQ电流测试电路对CMOS被测电路进行检测,通过观察测试电路输出的高低电平可知被测电路是否存在物理缺陷。测试电路的核心是电流...
关键词：IDDQ测试 测试方法 电流检测 CMOS电路 
一种使用在基于单元库布局布线流程的芯片上变异(OCV)监控器方法学
《中国集成电路》2010年第7期35-37,54,共4页洪郁庭 蔡裕文 陈宏铭 
工艺参数的变异导致半导体制造过程的偏差。这种变异无法避免而且在深亚微米领域,受限于光刻分辨率;氧化层腐蚀造成厚度的改变,因化学机械抛光铜金属线使铜金属层所造成的不平坦碟型缺陷等种种因素变得更加严重。除了工艺上的变异之外,...
关键词：布局布线流程 芯片变异监控器 环形振荡器 晶圆测试 量产测试 自适应电压与频率调节 静态时序分析 IDDQ测试 
一种实用CMOS芯片开路和短路特性测试的新方法
《电工电气》2009年第9期50-53,共4页杨卫 
IDDQ测试是一种新的集成电路测试方法和技术。这种测试是在多种输入逻辑条件下测试电路的静态电源电流参数值,它可以有效地检测出早期失效器件。介绍了一种新型的IDDQ开路和短路测试方法;利用模拟开关和简单的电流源并利用带A/D模块的MC...
关键词：IDDQ测试 微控制器 电流源 模拟开关 CMOS芯片 
基于IDDQ扫描的SOC可测性设计被引量：1
《计算机测量与控制》2009年第8期1473-1475,1478,共4页车彬 樊晓桠 
超深亚微米工艺和基于可复用嵌入式IP模块的系统级芯片(SoC)设计方法使测试面临新的挑战,需要研究开发新的测试方法和策略;本文首先介绍了在CMOS集成电路中的IDDQ测试方法,介绍其基本原理,展示了测试的优越性,CMOS IC本质上是电流可测试...
关键词：SoC片上系统 IDDQ测试 可测性设计 
IDDQ测试方法及发展被引量：1
《计量与测试技术》2009年第3期35-37,共3页庹朝永 
本文介绍了IDDQ电流测试方法的基本原理,IDDQ测试在集成电路测试系统上的实现方法。现在IDDQ电流测试成为CMOS电路故障检测的重要项目,已广泛用于测试功能测试不能发现的制造过程所产生的故障。以及随着深亚微米技术出现,IDDQ测试受到...
关键词：测试技术 CMOS电路 深亚微米技术 IDDQ测试 
一种高速片内电流监控器实现
《微电子学与计算机》2008年第2期140-143,共4页郭慧 冯建华 
静态电流(IDDQ)测试的实现方法研究是IDDQ测试领域的重要内容之一,高速、高精度是共同追求的目标。通过分析测试向量改变时流过被测电路的电源电流变化情况,得出制约IDDQ测试速度的主要因素。基于此,采用CMOS0.5μm工艺参数、SPICE仿真...
关键词：电流监控器 IDDQ IDDQ测试 BICS 测试速度 
浅谈CMOS集成电路的I_(DDQ)测试被引量：1
《微处理机》2007年第4期18-19,共2页张磊 王忆 张浩 
介绍了IDDQ测试的基本原理和主要测试方法,CMOS IC本质上是电流可测试的,IDDQ测试可有效地提高产品质量,降低芯片生产价格,并且它对失效响应分析(FEA)是非常有用的。
关键词：IDDQ测试 缺陷 故障 可靠性 
基于嵌入式内核SOC I_(DDQ)可测试设计方法
《计算机研究与发展》2003年第7期1129-1134,共6页冯建华 孙义和 李树国 
国家自然科学基金 ( 90 2 0 70 18) ;国防重点实验室基金 ( 5 14 3 3 0 2 0 2 )
由于电路门数增大和晶体管亚阈值电流升高 ,导致电路的静态漏电流不断升高 ,深亚微米工艺SOC(系统芯片 )IC在IDDQ测试的实现方面存在巨大挑战 虽然减小深亚微米工艺亚阈值漏电开发了许多方法 ,如衬底偏置和低温测试 ,但是没有解决因为SO...
关键词：系统芯片 SOC 内核 JTAG 可测试性设计 IDDQ测试 
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