飞思卡尔扩展MRAM产品系列 引领非易失性存储器未来  

出　　处：《电子产品世界》2007年第10期158-159,共2页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：经常有人将磁阻RAM（MRAM,magnetor-esistive random access memory）称作是非易失性存储器（nvRAM,Non-Volatile RAM）在未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了s删的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其他要求高速、耐用和非易失性的商业应用。

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分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]