A Ka-Band PHEMT MMIC 1W Power Amplifier  

Ka频段PHEMT 1W功率单片放大器(英文)

作　　者：喻梦霞[1] 李爱斌[1] 徐军[1] 

机构地区：[1]电子科技大学物理电子学院,成都610054

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第10期1513-1517,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：砷化镓功率器件和超高速集成电路国防科技重点实验室基金资助项目(批准号:51432060105DZ0213)~~

摘　　要：The performance of a microwave monolithic integrated circuit .（MMIC） amplifier with high output power in the Ka-band is presented. Using 75mm 0.25μm GaAs PHEMT technology provided by the Hebei Semiconductor Research Institute, this three-stage power amplifier, with a chip size of 19.25mm^2 （3.5mm × 5.5mm）, on 100μm GaAs substrate achieves a linear gain of more than 16dB in the 32.5-35.5GHz frequency range,with an average output power at 1dB gain compression of P1dB = 29. 8dBm and a maximum saturated output power of Psat = 31dBm.设计制作了Ka频段高输出功率的单片功率放大器.基于河北半导体研究所的0.25μm栅长的75mmGaAsPHEMT工艺制作的三级功率放大器,芯片尺寸为19.25mm2(3.5mm×5.5mm).在32.5～35.5GHz的频率范围内,小信号线性增益大于16dB,带内平均1dB增益压缩点输出功率为29.8dBm,最大饱和输出功率为31dBm.

关 键 词：KA-BAND power amplifier PHEMT MMIC 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]