检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]飞思卡尔公司
出 处:《世界电子元器件》2007年第10期106-107,共2页Global Electronics China
摘 要:经常有人将MRAM(磁阻RAM,magnetoresistive randoma ccess memory)称作是非易失性存储器(nvRAM,Non—Volatile RAM)在未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术,MRAM可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新,它利用磁性材料和传统硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性,几乎没有寿命限制。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其它要求高速、耐用和非易失性的商业应用。
关 键 词:非易失性存储器 MRAM 品系 卡尔 高速缓冲器 SRAM 磁性材料 商业应用
分 类 号:TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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