国际新闻  

出　　处：《半导体行业》2007年第5期51-54,共4页

摘　　要：三星制成0．08毫米半导体衬底 今年有望实现商用；海力士开发出层叠24层NAND型闪存的多芯片封装；恩智浦08年将量产“硅麦克风”；7家电子设备公司联手力顶下一代可移除闪存卡标准UFS；AMD图形技术成香饽饽 芯片厂商纷纷牵手合作；全球闪存产能在2008年将首度超越DRAM。

关 键 词：国际新闻 半导体衬底 多芯片封装 NAND型 闪存卡 电子设备 图形技术 芯片厂商 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]