氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析  

Thin film depth profiling analysis on ZnO/Si grown by O^+-assisted PLD

作　　者：李庚伟[1] 吴正龙[2] 邵素珍[3] 刘志凯[4] 

机构地区：[1]中国地质大学(北京)材料科学与工程学院,北京100083 [2]北京师范大学分析测试中心,北京100875 [3]北京市第四十七中学,北京100090 [4]中国科学院半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《材料科学与工艺》2007年第5期685-688,共4页Materials Science and Technology

基　　金：国家高技术研究发展计划资助项目(7150010162);中国地质大学(北京)科技基金资助项目(200524).

摘　　要：对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assistedPLD法生成的ZnO薄膜中存在孔隙;指出生长出的ZnO薄膜中含Si成分的厚度不超过18nm;同时探讨了在长成的ZnO/Si上继续生长GaN薄膜的可行性.The ZnO thin films being grown on Si（ 111 ） by O^＋ -assisted pulsed laser deposition（PLD） method were carried out with the ex situ test by using X-ray photoelectron spectroscopy（XPS） depth profile measure- ments. The reasons of each energy peak position movement were analyzed. Comparing the ex-situ test pictures with the in-situ test pictures, it is found that there are porosities in the thin films. And the thickness with Si composition in ZnO/Si thin film should be not more than 18nm. It may be practicable to continuely grow GaN thin film on ZnO/Si （111 ） grown by O^＋ -assisted PLD.

关 键 词：ZnO/Si异质结构 氧离子柬辅助(O^+-assisted)PLD X射线光电子能谱(XPS) 深度剖析 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] TN248.1[理学—物理]