稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用  

Rare-earth-doped GaN： luminescence mechanism,preparation methods and application of electroluminescent devices

作　　者：王质武[1] 刘文[1] 张勇[1] 杨清斗[1] 卫静婷[1] 唐伟群[1] 张浩希[1] 

机构地区：[1]深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室,广东深圳518060

出　　处：《功能材料》2007年第A01期21-24,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：基金项目：留学回国人员科研启动基金资助项目（教外司留2001-498）

摘　　要：介绍了稀土掺杂氮化镓（GaN：RE）的发光机理及其掺杂的方法（热扩散、离子注入和原位掺杂），对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评，综述了近年来国内外稀土掺杂GaN的研究进展及其相关电致发光器件在平板显示领域的应用。A review of dominant mechanisms for excitation and subsequent relaxation and methods of rare-earth-doped GaN （thermal diffusion, ion implantation doping and in situ doping） was presented. The advantage and disadvantage of methods of rare-earth-doped GaN is discussed. The research development of GaN：RE and application of electroluminescent devices are also reviewed.

关 键 词：稀土 氮化镓 电致发光 平板显示 

分 类 号：TN304.3[电子电信—物理电子学]