注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响  

Improvement of radiation hardness of UNIBOND SOI wafer by silicon ion implantation

作　　者：武爱民[1] 陈静[1] 张恩霞[1] 杨慧[1] 张正选[1] 王曦[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《功能材料》2007年第A02期866-867,共2页Journal of Functional Materials

基　　金：国家杰出青年科学基金资助项目（59925205）;国家自然科学基金资助项目（10305018）.

摘　　要：SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力，而通过特定的改性处理后，SOI的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制备方法包括SIMOX（注氧隔离方法）和UNIBOND SOI（智能剥离方法制备）。在SIMOX SOI的抗辐射加固领域，采用氮离子注入、氮氧共注入以及硅离子注入的方法都曾取得过很有效的结果。采用硅离子注入的方法对UNIBOND SOI进行了抗总剂量加固。采用P-MOS的表征方法对加固前后的样品进行了比较和分析，在HP-4155B半导体测试仪上得到的I-V曲线和提取的参数表明，注入的离子有效地减少了埋层中积累的正电荷得，圆片抗总剂量能力得到了大幅度提高。初步的理论分析表明是注入的硅离子形成的纳米团簇起到了俘获正电荷的作用。Silicon ions implantation with post annealing was used to improve UNIBOND SOI wafers＇ irradiation hardness The I-V curves obtained from pseudo-MOS test and threshold voltage shifts in n-channel transistors showed that SOI wafers achieved remarkable enhancement on total dose radiation hardness through this modification method.Chemical bonds analysis elsewhere demonstrated that it was the formation of Si nanocrystals in BOX which was the possible candidates for charge compensation.

关 键 词：绝缘体上的硅 智能剥离 离子注入 纳米晶 

分 类 号：TN406[电子电信—微电子学与固体电子学]