杨慧

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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：SOI材料SIMOX硅工艺抗辐照纳米晶更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《功能材料》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
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注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响
《功能材料》2007年第A02期866-867,共2页武爱民 陈静 张恩霞 杨慧 张正选 王曦 
国家杰出青年科学基金资助项目（59925205）;国家自然科学基金资助项目（10305018）.
SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力，而通过特定的改性处理后，SOI的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制备方法包括SIMOX（注氧隔离方法）和UNIBOND SOI（智能剥离方法制备）。在SIMOX SOI的抗辐射加固领域，采用氮离...
关键词：绝缘体上的硅 智能剥离 离子注入 纳米晶 
Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应
《功能材料与器件学报》2007年第3期233-236,共4页杨慧 张正选 张恩霞 
为了缩短SOI材料的改性研究周期,利用pseudo-MOS方法研究了SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应。试验采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料,通过对比改性前后样品在辐照前后的pseudo-MOSFET ID-VG特性曲线,分析改性工艺的影响...
关键词：SIMOX SOI 总剂量辐照效应 Pseudo—MOS 
Effects of Si Ion Implantation on the Total-Dose Radiation Properties of SIMOX SOI Materials
《Journal of Semiconductors》2007年第3期323-326,共4页杨慧 张恩霞 张正选 
To improve the total-dose radiation hardness,silicon-on-insulator （SOI） wafers fabricated by the separation-by-implanted-oxygen （SIMOX） method are modified by Si ion implantation into the buried oxide with a post ...
关键词：SIMOX SOI Si ion implantation total-dose radiation effect pseudo-MOS 
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