Effects of Si Ion Implantation on the Total-Dose Radiation Properties of SIMOX SOI Materials  

Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响(英文)

作　　者：杨慧[1] 张恩霞[1] 张正选[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第3期323-326,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：To improve the total-dose radiation hardness,silicon-on-insulator （SOI） wafers fabricated by the separation-by-implanted-oxygen （SIMOX） method are modified by Si ion implantation into the buried oxide with a post anneal. The ID- VG characteristics can be tested with the pseudo-MOSFET method before and after radiation. The results show that a proper Si-ion-implantation method can enhance the total-dose radiation tolerance of the materials.为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料.辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试样品的ID-VG特性曲线.结果表明,合适的硅离子注入工艺能有效提高材料抗总剂量辐照的能力.

关 键 词：SIMOX SOI Si ion implantation total-dose radiation effect pseudo-MOS 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]