ZnCdTe-ZnTe多量子阱的激子线增宽  

Exciton Line Broading of Multiple Quantum Wells in ZnCdTe-ZnTe

作　　者：郑泽伟[1,2] 范希武[1,2] 郑著宏 杨宝均[1,2] 

机构地区：[1]南京空军气象学院物理教研室 [2]中国科学院长春物理研究所

出　　处：《人工晶体学报》1997年第3期369-369,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：本文主要讨论ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱激子线的均匀增宽和非均匀增宽效应。实验所有样品为常压ＭＯＣＶＤ系统在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长的含３０个周期的ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱材料。做光致发光实验时用配有ＲＣＡ－Ｃ３１０３４型光电倍增管的Ｓｐｅｘ１４０４型双光栅单色仪及Ｂｏｘｃａｒ４４００型平均取样系统来检测。用Ｎ２激光器的３３７．１ｎｍ线作激发光源对Ｚｎ０．６７Ｃｄ０．３３Ｔｃ－ＺｎＴｅ多量子阱做光致发光实验，样品的近带边有两个发光谱峰分别位于５７４．４ｎｍ和５９８．６ｎｍ处。它们分别是激子跃迁和导带电子到受主跃迁的发光峰。为使这类材料的器件达最佳应用状态，室温下的激子共振宽度应尽量地窄。激子共振宽度由非均匀增宽和均匀增宽决定的。低温下激子光谱的半高全宽比导带电子到受主跃迁谱的半高宽小很多，但随温度升高激子线宽增加很快。激子谱线的均匀线宽部分主要是通过激子与ＬＯ声子作用实现的。根据声子占有数方程，随温度升高ＬＯ声子数增加，所以激子散射时间缩短，线宽增加。这种行为已在半导体材料中被充分证明。所以均匀线宽随温度的升高而增加，非均匀线宽部分近似与温度无关。在低温下（大约低于５．０Ｋ）均匀，线宽比非均匀线?

关 键 词：半导体 多量子阱 激子特性 

分 类 号：O471.3[理学—半导体物理] TN304.25[理学—物理]