基于深亚微米MOS器件沟道的热噪声浅析  

作　　者：曾献芳[1] 

机构地区：[1]安徽水利水电职业技术学院电子信息工程系

出　　处：《中国集成电路》2007年第12期63-66,共4页China lntegrated Circuit

摘　　要：随着MOS器件工艺尺寸的不断减小,其不断增高的单位增益截止频率足以满足射频/模拟电路的工作要求。然而,随着沟道长度的变短,沟道噪声对电路的贡献增大,噪声是电路关注的主要性能之一。由于二级效应,经典的长沟道噪声模型不再精确。本文总结了沟道热噪声产生的机理,以及短沟道载流子有效迁移率的计算。系统详细地描述了近年来基于深亚微米短沟道MOS器件的热噪声的模型。在文章的最后,介绍了沟道噪声的仿真和测试方法。

关 键 词：深亚微米 热噪声 短沟道 载流子 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]