用于DC／DC转换器的VDMOS器件抗辐照性能与低频噪声研究  

作　　者：赵志刚[1] 杜磊[1] 包军林[1] 阎家铭[1] 张莹[1] 杨丽侠[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学

出　　处：《混合微电子技术》2007年第4期1-4,共4页Hybrid Microelectronics Technology

摘　　要：通过对用于DC／DC转换器的N型和P型VDMOS器件在^60Coy射线下的辐照实验，研究了不同封装VDMOS器件在不同偏置条件下辐照前后的电参数和低频噪声变化。实验表明：辐照前后该类器件的低频噪声主要表现为1／f噪声，随着辐照剂量的增加，其幅值明显增加，阈值电压发生负向漂移，但前者的变化比后者大1～2个数量级。基于上述实验结果，进一步的理论分析认为：P型VDMOS器件比N型VDMOS器件更适合空间应用。

关 键 词：VDMOS 抗辐照 阈值电压 1/f噪声 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]