FAD非晶金刚石薄膜的场电子发射性能研究  

作　　者：赵建平[1] 王曦[1] 陈智颖[1] 杨石奇[1] 柳襄怀[1] 施天生[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,上海200050

出　　处：《中国科学（E辑）》1997年第3期218-223,共6页Science in China(Series E)

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：利用真空磁过滤弧沉积(FAD)技术制备得到了无氢的非晶碳膜.由于非晶碳膜中数量极高的四面体键(sp^3键)的存在,这种非晶碳膜也可被称作非晶金刚石薄膜.报道了这种非晶金刚石膜的场电子发射特性,并对其能带结构和发射机理进行了研究.实验结果表明,在阈值电场为15V/μm的情况下,测得的场发射电流超过20μA,薄膜的电子发射行为符合Fowler-Nordheim场发射理论.非晶金刚石膜具有负电子亲合势和较小的有效功函数.如此低的阈值电场和高的发射电流,表明这种非晶金刚石薄膜的场电子发射性能已达到甚至超过目前文献上报道的最好结果。

关 键 词：真空磁过滤弧 非晶 金刚石薄膜 场电子发射 

分 类 号：TN304.18[电子电信—物理电子学]