PECVD制备光致可发绿光的α—SiC：H薄膜  

作　　者：陈长清[1] 杨立新[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所

出　　处：《半导体光电》1997年第4期245-249,共5页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：利用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法，以硅烷和乙烯为反应气体源在适当淀积条件下制备出在紫外光激发下可发绿光（光致发光谱峰值波长约为５３２ｎｍ）的高品质α－ＳｉＣ：Ｈ薄膜。本文主要报道该发光薄膜的红餐吸收谱（ＦＴＩＲ）、紫外及可见光透射谱一光学带隙、光致发光谱、电子自旋共振（ＥＳＲ）和电学性能的测试结果并进行讨论。

关 键 词：半导体材料 晶态碳化硅 薄膜 PECVD法 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学] TN304.055