陈长清

作品数：4被引量：5H指数：2
导出分析报告
供职机构：中国科学院上海冶金研究所更多>>
发文主题：碳化硅PECVD硅Β-SIC晶态更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《核技术》《半导体光电》《Journal of Semiconductors》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
利用离子束技术及PECVD制备碳化硅被引量：2
《核技术》1998年第9期519-524,共6页陈长清 任琮欣 杨立新 严金龙 郑志宏 周祖尧 陈平 柳襄怀 陈学良 
阐述利用离子注入、离子束增强沉积、反应离子束溅射及反应离子束辅助沉积等方法制备碳化硅薄膜的实验结果，并报道利用等离子体增强化学气相沉积技术制备可光致发光的非晶态α－ＳｉＣ：Ｈ薄膜的工作。
关键词：离子束增强沉积 晶态 碳化硅 PECVD 
光盘光学拾音器技术的现状与发展
《半导体光电》1997年第6期363-369,390,共8页杨立新 陈长清 杨易 陈学良 沈德芳 陈国明 
阐述了光盘的光学聚焦伺服、循迹伺服和光信息拾取原理，介绍了由分立元件、全息光学元件、光电混合集成和单片集成等所构成多种光学拾音器的结构。
关键词：光学拾音器 全息光学元件 CD LD VCD 
PECVD制备光致可发绿光的α—SiC：H薄膜
《半导体光电》1997年第4期245-249,共5页陈长清 杨立新 
利用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法，以硅烷和乙烯为反应气体源在适当淀积条件下制备出在紫外光激发下可发绿光（光致发光谱峰值波长约为５３２ｎｍ）的高品质α－ＳｉＣ：Ｈ薄膜。本文主要报道该发光薄膜的红餐吸收谱（...
关键词：半导体材料 晶态碳化硅 薄膜 PECVD法 
C^+注入硅形成β-SiC埋层研究被引量：4
《Journal of Semiconductors》1997年第2期140-145,共6页陈长清 杨立新 严金龙 陈学良 
上海一美国应用材料研究与发展基金
在200℃和680℃下对P型（100）单晶硅进行不同剂量的C+注入，实验表明680℃下注入形成的β-SiC埋层存在＜100＞取向生长的结晶态，经过1160℃氮气氛4小时或8小时退火后，结晶度得到进一步增强；200℃下注入形成的β-SiC埋层为无定形态...
关键词：碳化硅 埋层 注入 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部