陈国明

作品数:6被引量:2H指数:1
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供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题:反应离子束刻蚀测量电路航天勘测金属电极更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术核科学技术更多>>
发文期刊:《核技术》《半导体光电》《光学学报》《物理学报》更多>>
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混合型集成光学拾音器的结构设计被引量:1
《光学学报》2000年第3期395-399,共5页杨立新 李东宏 陈学良 卢志红 杨易 沈德芳 陈国明 
采用光学追踪法计算了圆锥光线入射到棱镜中的轨迹 ,并对计算结果进行了实验验证 ,实验结果与计算结果相一致 。
关键词:混合型 集成光学拾音器 光学追踪 光盘 
反应离子束刻蚀母盘研究被引量:1
《真空科学与技术》1999年第A10期126-129,共4页邹志强 陈国明 
对反应离子束刻蚀母盘和玻璃衬底光盘的工艺进行了探讨,在该工艺中,光刻胶用于图形掩膜,CF4气体用于反应离子束刻蚀并将预刻槽转移到玻璃衬底上,预刻槽的形状和深度由刻蚀机的设置条件控制。SEM照片表明,刻蚀在玻璃衬底上的...
关键词:反应离子束刻蚀 母盘 预刻槽 光盘 
光盘光学拾音器技术的现状与发展
《半导体光电》1997年第6期363-369,390,共8页杨立新 陈长清 杨易 陈学良 沈德芳 陈国明 
阐述了光盘的光学聚焦伺服、循迹伺服和光信息拾取原理,介绍了由分立元件、全息光学元件、光电混合集成和单片集成等所构成多种光学拾音器的结构。
关键词:光学拾音器 全息光学元件 CD LD VCD 
用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化
《物理学报》1990年第8期1278-1281,共4页朱德彰 潘浩昌 曹建清 朱福英 陈国明 陈国樑 杨絜 邹世昌 
用高分辨率沟道背散射技术研究了低能N离子注入单晶硅形成氮化硅的过程。测出了N和位移Si原子的深度分布。提出在N离子注入时同时存在着三个过程——注入、溅射和释放。由此建立了一个微分方程描写样品中剩余N的浓度变化,并讨论了氮化...
关键词:散射谱仪  氮化 单晶 离子注入 
反应离子束刻蚀闪耀光栅技术
《应用科学学报》1989年第3期260-262,共3页傅新定 方红丽 陈国明 邹世昌 
一、引言反应离子束刻蚀是在离子束刻蚀基础上发展起来的具有广泛应用前景的微细加工技术.近年来,已被用来制作全息闪耀光栅.二、实用全息闪耀光栅反应离子束刻蚀全息闪耀光栅制造工艺请参阅文献[2],在石英基板上涂美国Shipley公司AZ135...
关键词:闪耀 光栅 反应离子束 刻蚀 
含浸电极型液态金属离子源
《核技术》1989年第2期85-88,共4页陈国明 石川顺三 高木俊宜 
一种含浸电极型液态金属离子源已经获得发展。该种离子源应用烧结多孔钨“尖端”。研究了能应用于含浸电极型液态金属离子源的各种低熔点合金,并成功地引出了Si、Ge和Sb离子,测定了基本离子源参数,如电流—电压特性、质谱分析和离子源...
关键词:离子源 液态金属 含浸电极型 
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