傅新定

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供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：离子束刻蚀半导体菲涅耳反应离子束刻蚀硅片更多>>
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发文期刊：《应用科学学报》《核技术》《表面技术》更多>>
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反应离子束刻蚀闪耀光栅技术
《应用科学学报》1989年第3期260-262,共3页傅新定 方红丽 陈国明 邹世昌 
一、引言反应离子束刻蚀是在离子束刻蚀基础上发展起来的具有广泛应用前景的微细加工技术.近年来,已被用来制作全息闪耀光栅.二、实用全息闪耀光栅反应离子束刻蚀全息闪耀光栅制造工艺请参阅文献[2],在石英基板上涂美国Shipley公司AZ135...
关键词：闪耀 光栅 反应离子束 刻蚀 
离子束刻蚀菲涅耳金环研究
《核技术》1989年第5期292-295,共4页傅新定 方红丽 
应用离子束刻蚀技术,首先确定金膜的刻蚀速率并研究台阶倾角与刻蚀参数之间的关系。最终微细加工出菲涅耳金环和多针孔金箔,分别成功地用于激光等离子体空间分布测量和激光核聚变诊断。结果表明,离子束刻蚀菲涅耳环带板是提高编码相机...
关键词：离子速刻蚀 射角 菲湿耳金环 
离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌——凹沟现象的研究
《表面技术》1989年第5期43-46,共4页张建民 傅新定 
本文用能量为600eV、束流密度为0.5mA·cm^(-2)垂直入射的氩离子束对半导体单晶硅上不同宽度的沟槽(15μm、10μm、5μm)进行了不同时间的离子束蚀刻,发现在槽底靠近槽壁处出现了凹沟现象,建立了入射离子在斜壁上反射的理论模型,并通过...
关键词：单晶硅片 半导体 沟槽 离子束刻蚀 
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