反应离子束刻蚀母盘研究  

作　　者：邹志强[1] 陈国明[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所

出　　处：《真空科学与技术》1999年第A10期126-129,共4页Vacuum Science and Technology

摘　　要：对反应离子束刻蚀母盘和玻璃衬底光盘的工艺进行了探讨，在该工艺中，光刻胶用于图形掩膜，ＣＦ４气体用于反应离子束刻蚀并将预刻槽转移到玻璃衬底上，预刻槽的形状和深度由刻蚀机的设置条件控制。ＳＥＭ照片表明，刻蚀在玻璃衬底上的预刻槽的道间距为１．６μｍ，槽深０．１μｍ，槽宽０．６μｍ，符合光盘预刻槽的基本标准，说明该工艺是微细加工母盘凹坑和预刻槽的较好办法。

关 键 词：反应离子束刻蚀 母盘 预刻槽 光盘 

分 类 号：TP333.4[自动化与计算机技术—计算机系统结构]