严金龙

作品数：4被引量：11H指数：2
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供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：SI反应离子刻蚀ISOLATION硅SILICON更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《核技术》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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A Novel Lateral Solenoidal On-Chip Integrated Inductor Implemented in Conventional Si Process被引量：1
《Journal of Semiconductors》2002年第4期352-365,共14页刘畅 陈学良 严金龙 顾伟东 
A new structure of the on- chip integrated inductors im plem ented in conventional Si process is presented as a lateral solenoid.The fabrication process utilizes a conventional Si technology with standard double- lay...
关键词：integrated inductor solenoidal inductor spiral inductor quality factor 
一种提高硅集成电感Q值的方法被引量：3
《功能材料与器件学报》2002年第1期1-4,共4页刘畅 陈学良 严金龙 
设计和制作了硅集成电感,采用常规的硅工艺,在衬底形成间隔的pn结隔离来减少硅衬底的涡流损耗。实验测量了硅集成电感的S参数并研究了衬底结隔离对硅集成电感的电感量和品质因素(Q)的影响。结果表明一定深度的衬底结隔离能有效地使电感...
关键词：硅集成电感 Q值 涡流 品质因数 电感量 
Novel Substrate pn Junction Isolation for RF Integrated Inductors on Silicon被引量：5
《Journal of Semiconductors》2001年第12期1486-1489,共4页刘畅 陈学良 严金龙 
A new method for reducing the substrate rated losses of integrated spiral inductors is presented.The method is to block the eddy currents induced by spiral inductors by directly forming pn junction isolation in the S...
关键词：Si integrated inductor quality factor eddy current pn junction isolation 
利用离子束技术及PECVD制备碳化硅被引量：2
《核技术》1998年第9期519-524,共6页陈长清 任琮欣 杨立新 严金龙 郑志宏 周祖尧 陈平 柳襄怀 陈学良 
阐述利用离子注入、离子束增强沉积、反应离子束溅射及反应离子束辅助沉积等方法制备碳化硅薄膜的实验结果，并报道利用等离子体增强化学气相沉积技术制备可光致发光的非晶态α－ＳｉＣ：Ｈ薄膜的工作。
关键词：离子束增强沉积 晶态 碳化硅 PECVD 
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