用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验  

Ion injection into EBIT with a miniature MEVVA ion sourse

作　　者：朱丹峰[1] 杜光天[1] 郭盘林[1] 朱周侠[1] 朱希恺[1] 傅云清[2] 胡伟[2] 邹亚明[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海应用物理研究所,上海201800 [2]复旦大学现代物理研究所,上海200433

出　　处：《核技术》2008年第2期100-104,共5页Nuclear Techniques

摘　　要：为给上海电子束离子阱（Electron Beam Ion Traps，EBIT）装置提供低电荷离子，我们研制了小型金属蒸汽真空弧（Metal Vapor Vacuum Arc，MEVVA）离子源，可产生多种金属以及半导体材料的低电荷离子。本文介绍小型MEVVA离子源的特性及其在上海EBIT装置上的离子注入实验。实验结果显示，合理控制注入参数可以使注入并被束缚在EBIT中的离子数密度达到10^8～10^9／cm^3。A modified miniature metal vapor vacuum arc ion source has been developed for the Shanghai electron beam ion trap. Several kinds of elements were tested to extract lowly charged ions, such as Fe, Au, Ge and Ti. In this paper, we describe the design and features of the MEVVA. And experiment results of Au ions injection demonstrate that the Au ions were successfully injected and trapped in the drift tubes.

关 键 词：MEVVA离子源 电子束离子阱 离子注入 

分 类 号：TL503.3[核科学技术—核技术及应用]