MCM-D介质膜及通孔工艺技术  

作　　者：汪继芳 

机构地区：[1]中国兵器工业第214研究所,蚌埠233042

出　　处：《集成电路通讯》2007年第4期40-41,50,共3页

摘　　要：MCM-D中薄膜介质层主要是用于多层布线的层间绝缘及埋置电容器介质层。介质膜的制备及刻蚀工艺是(MCM-D)薄膜多层布线工艺的基础和关键技术。聚酰亚胺具有高热稳定性、低介电系数、良好的平坦性及可加工性,是用的最多的薄膜介质材料。本文通过对聚酰亚胺的选择、旋涂、固化工艺控制解决了聚酰亚胺介质膜的制备及稳定性难题。通过精确控制腐蚀时间来实现通孔的湿法刻蚀。

关 键 词：聚酰亚胺 固化 通孔 湿法刻蚀 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学] TP36[自动化与计算机技术—计算机系统结构]