平面型RTD制作过程中的两个关键工艺  

Two Key Processes for Fabrication of Planar Resonant Tunneling Diodes

作　　者：陈乃金[1] 郭维廉[2] 牛萍娟[2] 王伟[2] 于欣[2] 张世林[3] 梁惠来[3] 

机构地区：[1]安徽工程科技学院计算机科学与工程系,安徽芜湖241000 [2]天津工业大学信息与通讯学院,天津300160 [3]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《半导体技术》2008年第4期328-332,共5页Semiconductor Technology

基　　金：安徽省教育厅自然科学资金资助项目(KJ2007B247);安徽省高等学校青年教师科研资助计划自然科学基金(2007jq1086);安徽工程科技学院青年教师科研自然科学基金(2005YQ007)

摘　　要：采用n+GaAs衬底和自对准B离子注入技术制作了平面型共振隧穿二极管,深入讨论其制作过程中几个关键问题,包括离子注入能量与剂量的选择、RTD负阻区表观正阻现象等,并系统地研究了快速合金工艺温度和时间对于制作良好欧姆接触和消除负阻区表观正阻的影响。结果表明对于所选材料,离子注入能量为130keV,剂量为4×1013/cm2,退火温度为380℃持续60s可得到特性较好的PRTD器件,该器件的制作为RTD的应用打下良好基础。Planar resonant tunneling diode （PRTD） based on n^＋ GaAs substrate and self-aligned B implantation was fabricated. Several key problems in PRTD processes were discussed such as dose and energy of B implantation and the positive resistance phenomenon in negative resistance of RTD. The effect of rapid annealing temperature and time on ohmic contact and apparent positive resistance phenomenon in negative resistance were discussed. The experimental results show that implanting at 130 keV with dose of 4×10^13/cm^2, annealing for 60 s at 380 ℃ can produce excellent PRTD device. This work has great significance in the application of RTD.

关 键 词：平面型共振隧穿二极管 负阻区表观正阻 离子注入 快速合金 欧姆接触 

分 类 号：TN313.2[电子电信—物理电子学]