高压场效应管纳秒级双快源  

作　　者：王欣 

出　　处：《中国工程物理研究院科技年报》2006年第1期265-266,共2页Annual Report of China Academy of Engineering Physics

摘　　要：高速高压脉冲源以大电压、快速开关为特点，在激光、X射线探伤、加速器技术等国防科研和高技术领域有着重要作用。一般固体器件快脉冲源均采用雪崩晶体管、阶跃管等设计，输出脉冲可达到高幅度与快前沿，但器件电流驱动能力差，输出脉冲宽度较窄，虽通过级联可以提高输出功率如MARX电路，但提高有限且增加了电路复杂性，使可靠性变差。为克服这些缺点，提出一种采用具有大脉冲开关电流、较高漏源电压、小导通内阻高压场效应管（MOSFET）作为脉冲源开关器件的技术方案，并在实验中采用多管串联及特殊快驱动技术，做成前后沿在约5ns，幅度大于4kV的脉冲源。

关 键 词：高压脉冲源 场效应管 纳秒级 驱动技术 固体器件 输出脉冲 开关电流 漏源电压 

分 类 号：TN78[电子电信—电路与系统] TN386