非易失性RAM将取代SRAM和NOR闪存  

作　　者：大石基之[1] 林咏（译）[1] 

机构地区：[1]《日经电子》记者

出　　处：《电子设计应用》2007年第9期77-80,70,共5页Electronic Design & Application World

摘　　要：FRAM（铁电存储器）、MRAM（磁阻存储器）和PRAM（相变存储器）等非易失性RAM相继上市，它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非易失性（见图1）。这类存储器产品的写入时间很短，

关 键 词：非易失性RAM NOR闪存 SRAM RMA 铁电存储器 EEPROM 相变存储器 FRAM 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构] TQ016.5[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]