非易失性RAM

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AGIGA Tech:无电池非易失性RAM
《电脑与电信》2011年第11期1-3,6,共4页王蔚斯 
2010年半导体行业突如其来的产能紧张让业界"印象深刻"。曾有人认为,过去几十年给人类文明和科技进步带来重大影响的半导体业已是日薄西山。然而,事实上,新的需求和新技术的发展正在不断为半导体业注入新鲜血液。目前存储器行业的供应...
关键词：非易失性RAM 非易失性存储器 电池 内存系统 多种系统 高可靠 高密度 
Ramtron出货首批使用新IBM生产线制造的F-RAM样片
《单片机与嵌入式系统应用》2011年第8期68-68,共1页
低功耗铁电存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布，已经可广泛提供在新IBM公司生产线上制造的首批预验证铁电存储器（F—RAM）样片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分别为...
关键词：非易失性RAM IBM公司 生产线 样片 制造 半导体产品 铁电存储器 存储解决方案 
使用新IBM生产线制造的F-RAM样片
《今日电子》2011年第8期63-63,共1页
FM24C04C和FM24C16C是位密度分别为4Kb和16Kb的串行5VFRAM产品，是首批在新IBM公司生产线上制造的预验证铁电存储器（FRAM）样片。FRAM产品具有非易失性RAM存储性能、无延迟（NoDelay）写入、高读／写耐用性及低功耗特性。这些器件可为...
关键词：IBM公司 生产线 样片 制造 非易失性RAM 存储解决方案 存储性能 铁电存储器 
Ramtron推出32Kb器件
《轨道交通》2009年第6期82-82,共1页
世界顶尖的非易失性铁电存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation近日宣布推出FM24CL32，提供具高速读／写性能、低电压运行以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb非...
关键词：器件 非易失性铁电存储器 非易失性RAM 非易失性存储器 半导体产品 低电压运行 数据保持 工作电压 
AGIGA采用业界最高密度、无需电池的非易失性RAM系统用于重要数据的备份
《电子与电脑》2009年第11期104-104,共1页
赛普拉斯半导体的子公司AGIGA技术公司近日宣布推出拥有市场上最高密度．最快速度的非易失性RAM系统。AGIGARAM非易失性系统（NVS）的最新CAPRI系列可提供介于256megabytes（2048 megabits）和2 gigabytes（16gigabits）之间的存储密度...
关键词：非易失性RAM 高密度 系统 SDRAM 备份 电池 存储密度 DDR2 
8Mb并口非易失性FRAM
《今日电子》2009年第9期66-66,共1页
FM23MLD16是采用48脚FBGA封装的8Mb、3V并口非易失性RAM，具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。
关键词：非易失性RAM FRAM 并口 BGA封装 访问速度 低功耗 读写 
FM23MLD16：F-RAM存储器
《世界电子元器件》2009年第9期41-41,共1页
Ramtron推出8MbF-RAM存储器，采用改进型FBGA封装。FM23MLD16是采用48引脚细间距球栅阵列（FBGA）封装的8Mb、3V并行非易失性RAM，具有访问速度快，几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态RAM（SRAM）兼容，主要针对...
关键词：存储器 工业控制系统 非易失性RAM BGA封装 存储解决方案 网络RAID 多功能打印机 自动导航系统 
FM23MLD16系N：8位并行FRAM
《世界电子元器件》2009年第8期41-41,共1页
Ramtron公司推出采用流线型密间距FBGA封装的8位FRAM存储器。FM23MLD16是8Mb、3V并行非易失性RAM，采用48引脚封装，具有快速存取性能，实现无限读，写周期和低功耗等特点。
关键词：FRAM 位并行 Ramtron公司 非易失性RAM BGA封装 引脚封装 存取性能 存储器 
Ramtron推出32Kb器件 扩展F-RAM串口存储器产品线
《电子与电脑》2009年第7期64-64,共1页
Ramtron宣布推出FM24CL32，提供具高速读／写性能．低电压运行．以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb非易失性存储器．工作电压为2．7V～3．6V．采用8脚SOIC封装，使用二线制（I2C）协议；
关键词：非易失性存储器 器件 串口 产品线 非易失性RAM SOIC封装 低电压运行 数据保持 
AgigA Tech推出业界首款高速、高密度、无电池、非易失性RAM系统
《电子与电脑》2009年第7期70-70,共1页
日前，赛普拉斯半导体公司的子公司美国技佳科技有限公司（AgigA Tech Inc．）推出了业界首款高速、高密度、非易失性RAM系统。该新型AGIGARAM非易失性系统（NVS）技术所实现的密度介于4MB（32Mb）到2GB（16Gb）之间．传输峰值速度与DRA...
关键词：非易失性RAM 多种系统 高密度 赛普拉斯半导体公司 电池 销售点终端 DRAM 峰值速度 
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