CO_2离化团束辐照Si表面形成SiO_2膜的分析  

Analysis of SiO_2 Layer Formed on Si Surface by CO_2 Cluster Ion Beam Irradiation

作　　者：田民波[1] 冯晓东[1] 山田公[2] 

机构地区：[1]清华大学材料科学与工程系,北京100084 [2]日本京都大学离子工学实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1997年第10期755-760,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：由CO2离化团束辐照Si表面形成的氧化层的厚度与CO2团束大小及团束能量相关，而其成分接近SiO2在低辐照剂量下，氧化层增厚服从反应规律，而在高剂量下服从扩散规律．The thickness of oxide on Si surface induced by CO2 cluster ion beam irradiation depends on the CO2 cluster size and the beam energy. The thickening of oxide layer follows the reaction rule at lower irradiation dose, and the diffusion rule at higher dose.

关 键 词：二氧化碳 硅 气体离化团束 二氧化硅 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]