强流离子注入机晶片电荷积累及控制  

作　　者：陈林[1] 

机构地区：[1]电子工业部第四十八所

出　　处：《LSI制造与测试》1997年第3期23-26,35,共5页

摘　　要：分析了离子注入机中晶片电荷积累的物理机理，介绍了强流离子注入机中控制晶片电荷积累的方法，并讨论了强流离子注入机设计应注意的问题。

关 键 词：强流离子注入机 电荷积累 晶片 离子注入 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]