异质CMOS的研发正在进行  

作　　者：David Lammers 

出　　处：《集成电路应用》2008年第4期23-23,共1页Application of IC

摘　　要：研究小组正对异质半导体的研究做出不断的努力，采用外延技术淀积比单晶硅材料迁移率更高的材料，并将其作为扩展CMOS技术的一种方法。异质器件可以在硅晶圆上制作，举例来说，可以在pFET中使用锗，在nFET中使用包括GaAs、InGaAs或InSb在内的III—V族材料。

关 键 词：CMOS技术 异质 INGAAS 单晶硅材料 外延技术 INSB 半导体 

分 类 号：TN912.3[电子电信—通信与信息系统] TN248.4[电子电信—信息与通信工程]