在(110)单晶硅上获得高性能nFET  

作　　者：David Lammers 

出　　处：《集成电路应用》2008年第4期24-24,共1页Application of IC

摘　　要：根据Sematech研究员Rusty Harris所述，CMOS技术未来可能会从现今半导体工业的（100）取向硅晶圆转向使用（110）取向的晶圆。

关 键 词：单晶硅 性能 CMOS技术 半导体工业 硅晶圆 研究员 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]