新型CD-SEM套刻法改进双沟道图形化CDU  被引量:1

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作  者:Ilan Englard Rich Piech Liraz Gershtein Ram Peltinov Ofer Adan 

机构地区:[1]Applied Materials Inc.Santa Clara,Calif.

出  处:《集成电路应用》2008年第4期31-33,共3页Application of IC

摘  要:采用一种沟道内置沟道的套刻标记和自动工艺控制策略,双沟道图形化相关的CD均匀性问题可保持在具有量产价值的范围内。

关 键 词:双沟道 CDU 图形化 套刻 控制策略 均匀性 内置 

分 类 号:TN305[电子电信—物理电子学]

 

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