量子阱Ge_(0.3)Si_(0.7)/Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)在阱平面方向上的电子能带色散关系  

Electronic Energy Band Dispersions of Quantum Wells Ge_(0.3)Si_(0.7)/Si/Ge_(0.3)Si_(0.7) in Well Plane Directions

作　　者：徐至中[1] 

机构地区：[1]复旦大学物理系,上海200433

出　　处：《固体电子学研究与进展》1997年第4期317-321,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：采用经验赝势方法及界面边界条件，计算了生长在Ge0．3Si0．7（001）衬底上的导带电子量子阱Ge0．3Si0．7／Si／Ge0．3Si0．7的电子束缚能级，对它们在阶平面方向上的色散关系进行了讨论。Using empirical pseudopotential method cooperating with boundary matching conditions, the electronic bound state levels are calculated for electron quantum wells Ge0.3Si0.7/Si/Ge0.3Si0.7 grown on Ge0.3Si0.7 (001) substrates. Their dispersions in well plane directions are discussed.

关 键 词：量子阱 能带色散关系 经验赝势方法 

分 类 号：O471.5[理学—半导体物理]