徐至中

作品数：35被引量：14H指数：2
导出分析报告
供职机构：复旦大学物理学系更多>>
发文主题：X电子能带结构XSI超晶格SI更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《应用科学学报》《物理学报》《物理》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
胶原蛋白分子中电场激发的孤子特性被引量：3
《物理学报》2005年第5期2429-2434,共6页邓闯 翁渝民 徐至中 费伦 
根据胶原蛋白分子的结构特点 ,建立了新的胶原蛋白分子模型 ,得到了更能体现胶原蛋白分子三维结构的系统哈密顿量 ,并采用 4阶Runge- Kutta算法 ,对得到的电场作用下胶原蛋白分子中激发态能量传递的动力学方程进行了数值求解 .结果表明...
关键词：胶原蛋白 分子模型 激发态 能量传递 孤子 
复合量子阱Ge_(0.3)Si_(0.7)/(Ge_(0.3)Si_(0.7))_m-(Si)_m/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构
《固体电子学研究与进展》1998年第4期379-383,共5页徐至中 
国家自然科学基金
采用建立在经验赝历势基础上的推广k·P方法计算了复合量子阱Ge0.3Si0.7／（Ge0.3Si0.7）m-（Si）m／Ge0.3Si0.7的电子束缚能组及其活界面方向的色激关系,并与通常的单带模型下的包络函数方法的计算结果进行了比较。结果表明由于超晶格...
关键词：超晶格 量子阱 推广k.p方法 经验赝势方法 
量子阱Ge_(0.3)Si_(0.7)/Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)在阱平面方向上的电子能带色散关系
《固体电子学研究与进展》1997年第4期317-321,共5页徐至中 
国家自然科学基金
采用经验赝势方法及界面边界条件，计算了生长在Ge0．3Si0．7（001）衬底上的导带电子量子阱Ge0．3Si0．7／Si／Ge0．3Si0．7的电子束缚能级，对它们在阶平面方向上的色散关系进行了讨论。
关键词：量子阱 能带色散关系 经验赝势方法 
能谷间相互作用对量子阱Ge_(0.3)Si_(0.7)/Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构的影响
《物理学报》1997年第4期775-782,共8页徐至中 
国家自然科学基金
采用建立在经验赝势理论基础上的推广ｋ·ｐ方法及电流密度算符技术，计算了生长在Ｇｅ０３Ｓｉ０７（００１）衬底上的量子阱Ｇｅ０３Ｓｉ０７／Ｓｉ／Ｇｅ０３Ｓｉ０７的导带电子束缚能级．详细地研究了因能谷间相互作用...
关键词：硅半导体 电子能带结构 量子阱 
温度对势垒区δ掺杂量子阱Si／Ge_（0．3）Si_（0．7）的电子能带结构的影响
《Journal of Semiconductors》1996年第8期561-566,共6页徐至中 
国家自然科学基金
采用有效质量近似下的包络函数方法，对在不同温度下的势垒区δ掺杂量子阱Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的势位及电子密度分布进行了自洽计算．详细地研究了温度对势位及电子密度分布的影响．
关键词：势垒区 Δ掺杂 GESI SI 电子能带结构 温度 
生长在In_xGa_（1－x）As（001）衬底上应变薄层GaAs的电子能带结构
《固体电子学研究与进展》1996年第4期309-313,共5页徐至中 张勃 
国家自然科学基金
采用经验的紧束缚方法对生长在ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ（００１）衬底上的应变薄层ＧａＡｓ的电子能带结构进行了计算。应变对能带结构的影响按标度定则进行计算，其中标度指数根据对畸变势常数的实验值进行拟合而确定。给出了ＧａＡｓ／...
关键词：电子能带结构 外延生长 半导体 砷化镓 
生长在GaSb_xP_（1－x）（001）衬底上GaP的能带结构
《固体电子学研究与进展》1996年第4期325-330,共6页杨中芹 徐至中 张开明 
采用半经验紧束缚近似方法对生长在ＧａＳｂｘＰ１－ｘ（００１）衬底上ＧａＰ的电子能带结构进行计算。ＧａＰ为间接能隙型的半导体，计算表明，当衬底中Ｓｂ组分ｘ≥０．５７时，应变的ＧａＰ薄层由间接能隙变成直接能隙的半导体。因...
关键词：紧束缚近似 直接能隙 能带结构 半导体 
形变的SiGe合金中的深能级
《应用科学学报》1996年第3期313-317,共5页乔皓 徐至中 张开明 
该文对生长在Ｓｉ、Ｇｅ及其合金衬底上形变的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究．其中形变合金的电子结构用经验的紧束缚方法进行计算，缺陷能级采用格林函数法进行计算．结果表明，晶格中的形变使原...
关键词：替拉缺陷 深能级 形为 硅/锗超晶格 替位杂质 
势垒区δ掺杂量子阱Ge03Si07／Si／Ge03Si07的子带间跃迁光吸收系数
《物理学报》1996年第10期1762-1770,共9页徐至中 
国家自然科学基金
采用包络函数方法对生长在Ｇｅ０３Ｓｉ０７（００１）衬底上势垒区δ掺杂量子阱Ｇｅ０３Ｓｉ０７／Ｓｉ／Ｇｅ０３Ｓｉ０７的电子能带结构及子带间光吸收特性进行了自洽的计算．对光吸收系数与量子阱的阱宽、δ掺杂位置及...
关键词：红外材料 Δ掺杂 量子阱 子带间跃迁 
势垒区δ掺杂量子阱Si／Ge_（0．3）Si_（0．7）的电子能带结构及电子密度分布被引量：2
《Journal of Semiconductors》1996年第5期321-327,共7页徐至中 
在有效质量近似基础上，采用非均匀网格有限差分法，通过对薛定谔—泊松方程的自洽求解，得到了生长在Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７（００１）衬底上的势垒区８掺杂量子阶Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的势位及电子密度分布．讨论了量子阶的几何...
关键词：硅 GESI 量子阱 掺杂 电子能带结构 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部