温度对势垒区δ掺杂量子阱Si／Ge_（0．3）Si_（0．7）的电子能带结构的影响  

Effects of Temperature on Electronic Structures of Barrier-δ-Doped Quantum Wells Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)

作　　者：徐至中[1] 

机构地区：[1]复旦大学物理系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1996年第8期561-566,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：采用有效质量近似下的包络函数方法，对在不同温度下的势垒区δ掺杂量子阱Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的势位及电子密度分布进行了自洽计算．详细地研究了温度对势位及电子密度分布的影响．Abstract The potential and electron density distributions of barrier-δ-doped quantumwells Si/Ge0.3Si0.7 grown on the alloy Ge0.3Si0.7(001) at various temperatures are selfconsistently calculated in effective mass approximation.The effects of the temperature on thepotential and electron density distributions are studied in detail.

关 键 词：势垒区 Δ掺杂 GESI SI 电子能带结构 温度 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]