CN_x薄膜沉积参数对等离子体参数以及表面粗糙度的影响  

Effects of deposition parameters on plasma parameters and surface roughness of CN_x thin films

作　　者：刘松[1] 李德军[2] 

机构地区：[1]天津电子信息职业技术学院,天津300110 [2]天津师范大学物理与电子信息学院,天津300387

出　　处：《真空》2008年第3期59-61,共3页Vacuum

基　　金：天津市科技计划国际合作项目(07ZCGHHZ01500)

摘　　要：利用超高真空脉冲直流磁控溅射技术制备了纳米量级厚度的CNx薄膜。利用自行设计的一种简单的探针测定了薄膜合成中的等离子体参数,获得了等离子体参数与合成工艺参数的关系。结果表明:在300 W的靶功率和-100 V的偏压下,等离子体的电子温度和电子数密度均最高,分别达到4.62 eV、6.8×1015/m3和3.25 eV、1.9×1015/m3。原子力显微镜观察表明,在此合成工艺参数下制备的CNx薄膜表面显示了最低的粗糙度均方根。CNx thin films of nanoscale thickness were prepared by UV pulsed dc magnetron sputtering, A simple Langmuir probe we developed was used to determine the plasma parameters in the thin films and the relationship between plasma parameters and deposition parameters. The results showed that the 300W target power and -100V bias cause the highest electron temperature and electron number density, ie., 4.62eV/6,8×10^15/m^3 and 3.25eV/1.9×10^16/m^3, respectively. AFM analysis indicated that CNx thin films prepared with those deposition parameters exhibited the lowest R.M.S. of surface roughness.

关 键 词：磁控溅射 CNX薄膜 等离子体参数 粗糙度 

分 类 号：TG174.444[金属学及工艺—金属表面处理] TG174.4[金属学及工艺—金属学]