低k电介质及其设备  

The Low-k Dielectric and its Equipment

作　　者：翁寿松[1] 

机构地区：[1]无锡市罗特电子有限公司,江苏无锡214001

出　　处：《电子工业专用设备》2008年第5期28-30,共3页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：低k电介质、Cu互连和CMP已成为90/65/45nm芯片制造的标准工艺。90nm工艺要求k=3.0～2.9,65nm工艺要求k=2.8～2.7,45nm工艺要求k=2.6～2.5,大多采用2.5多孔的低k电介质,如TI、台积电。对于22nm工艺,可能采用碳纳米管(CNT)替代Cu互连。

关 键 词：多孔低k电介质 CU互连 化学机械抛光 碳纳米管 设备 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]