石墨炉原子吸收法测定饮料中硒  

THREE DIMENSIONAL MICROANALYSIS OF ARSENIC IMPURITY IN SILICON

作　　者：任建成[1] 王怀友[1] 张晓凯[1] 刘树海[1] 

机构地区：[1]山东师范大学分析测试中心

出　　处：《光谱学与光谱分析》1997年第4期92-95,共4页Spectroscopy and Spectral Analysis

摘　　要：本文采用Ｐｄ（ＮＯ３）２－ＴｒｉｔｏｎＸ－１００作硒的改进剂，使Ｓｅ的允许灰化温度提高到１２００℃，吸光度提高到２．９２倍。用塞曼效应校正背景，有效地克服，Ｐ和Ｆｅ等的光谱干扰。此法检测限为８．０ｎｇ／ｍＬ，线性范围为１０—１２０ｎｇ／ｍＬ，线性相关系数为ｒ＝０．９９３１。The three dimensional distribution of arsenic impurity concentration on the silicon wafer surface is determinaed by means of synchrotron radiation X ray microfluorescence (SRXRF) and total reflection X ray fluorescence (TXRF) anslysis.The result of depth profile of As is checked with secondary ion mass spectrometry(SIMS)and the agreement is reasonably good.

关 键 词：石墨炉原子吸收 饮料 硒 

分 类 号：O613.52[理学—无机化学] TS27[理学—化学]