LuAG高折射率材料获得突破性进展  

作　　者：Aaron Hand 

出　　处：《集成电路应用》2008年第5期I0001-I0001,I0004,共2页Application of IC

摘　　要：尽管在45nm技术节点上，绝大部分的芯片制造商都将采用侵没式光刻技术，但是对于32nm而言，哪一种技术才是最佳选择目前还没有定论。其中，一种可能的解决方案就是采用高折射率材料进一步延伸浸没式光刻技术的使用寿命。然而，之前针对这项技术的研究并不乐观。

关 键 词：高折射率 材料 突破性 技术节点 光刻技术 芯片制造商 使用寿命 浸没式 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学] TQ171.79[化学工程—玻璃工业]