改善深亚微米光刻图形质量的途径  

作　　者：姚汉民[1] 罗先刚[1] 

机构地区：[1]中国科学院光电技术研究所

出　　处：《LSI制造与测试》1997年第4期4-12,共9页

摘　　要：本文对目前用于提高亚半微以影光刻机成像分辨力、增大焦深的一些新技术；大数值孔径和短波长技术、倾斜照明技术、相移掩模技术、光瞳波技术，多焦面曝光技术以及表面成技术的和现状作了较为详细的阐述，提出了增大０．３５μｍ图表的分辨力和焦深的途径。

关 键 词：微电子学 相移掩模 光刻 IC 

分 类 号：TN405.7[电子电信—微电子学与固体电子学]