恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率  

出　　处：《电源技术应用》2008年第6期80-80,共1页Power Supply Technologles and Applications

摘　　要：日前，恩智浦半导体（NXP Semiconductor，由飞利浦成立的独立半导体公司）推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶体管，这是恩智浦应用其业界领先的第七代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术的首款产品，专为高功耗和Doheay放大器应用进行了优化。恩智浦的第七代LDMOS技术可以实现目前功效最高的LDMOS解决方案，与上一代产品相比，功率密度提高了20％，

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分 类 号：TN948.53[电子电信—信号与信息处理] TN929.53[电子电信—信息与通信工程]