高纯度半导体碳纳米管制造成功晶体管  

出　　处：《现代材料动态》2008年第8期22-23,共2页Information of Advanced Materials

摘　　要：日本产业技术综合研究所（产综研）宣布，成功使用高纯度半导体单层碳纳米管（SWCNT）制成了晶体管。晶体管的导通／截止比（导通时与截止时的漏极电流之比）为1×10^5以上，载流子迁移率超过2cm2／Vs。

关 键 词：半导体碳纳米管 晶体管 日本产业技术综合研究所 纯度 制造 单层碳纳米管 载流子迁移率 漏极电流 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] TN32[电子电信—物理电子学]