一种12位125MS/s的SiGe BiCMOS采样保持放大器  

A 12-bit 125MS/s SiGe BiCMOS Sample/Hold Amplifier (SHA)

作　　者：潘杰[1,2] 杨海钢[1] 杨银堂[3] 朱樟明[3] 

机构地区：[1]中国科学院电子学研究所 [2]西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安710071 [3]西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

出　　处：《电路与系统学报》2008年第4期55-58,共4页Journal of Circuits and Systems

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60476046);国家部委基金资助项目(51408010205DZ0164)

摘　　要：提出了基于TSMC0.35μm锗硅(SiGe)BiCMOS工艺的全差分跨导运算放大器(OTA),充分利用了异质结晶体管(HBT)共射共基结构的大跨导、小寄生效应、低噪声等特性。采用共源共栅以及增益倍增技术的负载管,在3.3V单电源下,开环增益为92.2dB,单位增益频率为1.26GHz,相位裕度为61.1o(负载为550fF时),差分输出摆幅为3V,以此OTA为核心的采样保持放大器(SHA)的最大采样频率为125MHz。Based on HBT＇s advantages such as high transconductance, small parasitic capacitance and low noise, a fully differential operational transconductance amplifier （OTA） using TSMC 0.35-μm SiGe BiCMOS technology is proposed. The output resistance of PMOS load is improved with the gain-boosting structure. At a 3.3-V power supply, the OTA＇S DC gain is 92.2-dB, the unity-gain frequency is 1.26-GHz at a phase margin of 61.1° （with 550-fF load）, and the OTA＇S differential output swing is 3-V. Based on this OTA, the maximal sample frequency of SHA is 125-MHz.

关 键 词：锗硅 异质结晶体管 增益倍增技术 跨导运算放大器 采样保持放大器 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]